各種電流都對組件的功率有或大或小的影響，區(qū)分各種電流的特性，能夠排查引起組件功率異常的原因，有助于問題的徹底解決。

暗電流

暗電流（DarkCurrent）也稱無照電流，是指P-N結在反偏壓條件下，沒有入射光時產生的反向直流電流。一般由于載流子的擴散產生或者器件表面和內部的缺陷以及有害的雜質引起。

暗電流一般在分選硅片時要考慮，如果暗電流過大能說明硅片的質量不合格，如表面態(tài)比較多，晶格的缺陷多，有存在有害的雜質，或者摻雜濃度太高，這樣的硅片制造出來的電池片往往少子壽命低，直接導致了轉換效率低。

反向飽和電流

反向飽和電流指給PN結加一反偏電壓時，外加的電壓使得PN結的耗盡層變寬，結電場（即內建電場）變大，電子的電勢能增加，P區(qū)和N區(qū)的多數(shù)載流子（P區(qū)多子維空穴，N區(qū)多子為電子）就很難越過勢壘，因此擴散電流趨近于零，但是由于結電場的增加，使得N區(qū)和P區(qū)中的少數(shù)載流子更容易產生漂移運動，因此在這種情況下，PN結內的電流由起支配作用的漂移電流決定。

漏電流

太陽能電池片可以分3層，即薄層（即N區(qū)），耗盡層（即PN結），體區(qū)（即P區(qū)），對電池片而言，始終是有一些有害的雜質和缺陷的，有些是硅片本身就有的，也有的是我們的工藝中形成的，這些有害的雜質和缺陷可以起到復合中心的作用，可以虜獲空穴和電子，使它們復合，復合的過程始終伴隨著載流子的定向移動，必然會有微小的電流產生，這些電流對測試所得的暗電流的值是有貢獻的，由薄層貢獻的部分稱之為薄層漏電流，由體區(qū)貢獻的部分稱之為體漏電流。